作者：M. Zubert ; ^{mariuszz@dmcs.p.lodz.pl} ; L. Starzak ; G. Jablonski ; M. Napieralska ; M. Janicki ; T. Pozniak ; A. Napieralski

关键词：SiC ; PiN ; MPS diode ; Electro-thermal model ; Boost converter ; Step-up converter

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2012

作者：Albert Chawanda^a ; ^b ; ^{albert.chawanda@up.ac.za} ; Wilbert Mtangi^b ; Francois D Auret^b ; Jacqueline Nel^b ; Cloud Nyamhere^c ; Mmantsae Diale^b

关键词：Schottky contacts ; Current&ndash ; voltage&ndash ; temperature ; Schottky barrier height ; Gaussian distribution ; Inhomogeneities

刊名：Physica B

出版年：2012

作者：Tae-Chul Nam^a ; Ja-Soon Jang^a ; ^{jsjang@ynu.ac.kr} ; Tae-Yeon Seong^b

关键词：Carrier transport ; Schottky barrier height ; AlGaN/GaN

刊名：Current Applied Physics

出版年：2012

作者：Hyeon-Kyun Noh ; Young Jun Oh ; K.J. Chang ; ^{kchang@kaist.ac.kr}

关键词：Ni work function ; Metal gate ; HfO2 ; Schottky barrier

刊名：Physica B

出版年：2012

作者：M.J. Legodi ; ^{matshisa.legodi@up.ac.za} ; W.E. Meyer ; F.D. Auret

关键词：Schottky ; AlGaN ; Anneal

刊名：Physica B

出版年：2012

作者：L. Chen^a ; ^b ; ¹ ; W.R. Plaß ; ^a ; ^b ; H. Geissel^a ; ^b ; ^{H.Geissel@gsi.de} ; R. Knö ; bel^b ; C. Kozhuharov^b ; Yu.A. Litvinov^b ; Z. Patyk^c ; C. Scheidenberger^a ; ^b ; K. Siegie艅-Iwaniuk^c ; B. Sun^b ; ^d ; H. Weick^b ; K. Beckert^b ; P. Beller^b ; F. Bosch^b ; D. Boutin^b ; L. Caceres^b ; J.J. Carroll^e ; D.M. Cullen^f ; I.J. Cullen^g ; B. Franzke^b ; J. Gerl^b ; M. Gó ; rska^b ; G.A. Jones^g ; A. Kishada^f ; J. Kurcewicz^b ; S.A. Litvinov^b ; Z. Liu^g ; S. Mandal^b ; F. Montes^h ; G. Mü ; nzenberg^b ; F. Nolden^b ; T. Ohtsuboⁱ ; Zs. Podolyá ; k^g ; R. Propri^e ; S. Rigby^f ; N. Saito^b ; T. Saito^b ; M. Shindo^j ; M. Steck^b ; P.M. Walker^g ; S. Williams^g ; M. Winkler^b ; H.-J. Wollersheim^b ; T. Yamaguchi^k

关键词：Nuclear reactions ; 9Be(238U ; &thinsp ; f) ; E=670 MeV/nucleon ; measured ; reaction fragments using fragment separator ; fragment mass using SMS (Schottky Mass Spectrometry) ; calculated ; mass excess using existing theoretical models ; deduced ; neutron-rich exotic

刊名：Nuclear Physics A

出版年：2012

作者：Maria J. Martin ; ^mjmm@usal.es ; Elena Pascual ; Raú ; l Rengel

关键词：Schottky barrier (SB) MOSFET ; Silicon-on-insulator (SOI) ; Monte Carlo modelling ; Intrinsic noise sources ; Minimum noise figure (NFmin) ; RF performance

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2012

作者：Gorkem Oylumluoglu^a ; ^b ; ^{droylumluoglu@gmail.com} ; A. Sertap Kavasoglu^a ; ^b ; Nese Kavasoglu^a ; ^b

关键词：Interface state ; Capacitance ; Schottky diode ; MIS diode ; Heterojunction diode ; Admittance spectroscopy

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2012

作者：Katherine V. Carrasquillo ; Nicholas J. Pinto ; ^{nicholas.pinto@upr.edu}

关键词：Nanoribbons ; Diode ; PEDOT-PSSA ; Tin oxide

刊名：Materials Science and Engineering ; B

出版年：2012

作者：Hitoshi Umezawa ; ^{hitoshi.umezawa@aist.go.jp} ; Masanori Nagase ; Yukako Kato ; Shin-ichi Shikata

关键词：Diamond ; Schottky barrier diode ; High temperature operation ; Power device

刊名：Diamond and Related Materials

出版年：2012