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1.Enhanced photosensitivity of InGaZnO-TFT with a CuPc light absorption layer

作者：Jun Li^a ; ^b ; ^{lijun_yt@shu.edu.cn} ; Fan Zhou^a ; Hua-Ping Lin^a ; Wen-Qing Zhu^a ; ^b ; Jian-Hua Zhang^b ; Xue-Yin Jiang^a ; Zhi-Lin Zhang^a ; ^b

关键词：Photosensitivity ; InGaZnO ; CuPc ; Transistor

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2012

2.Simulation of a solar cell based on InGaN

作者：L.A. Vilbois^a ; ^{amoulalea@hotmail.fr} ; A. Cheknane^b ; A. Bensaoula^c ; C. Boney^d ; T. Benouaz^d

关键词：solar cell ; InGaN ; transport of electrical charges ; PC1D

刊名：Energy Procedia

出版年：2012

3.CMOS compatible self-aligned S/D regions for implant-free InGaAs MOSFETs

作者：L. Czornomaz^a ; ^{luk@zurich.ibm.com} ; M. El Kazzi^a ; M. Hopstaken^b ; D. Caimi^a ; P. Mä ; chler^a ; C. Rossel^a ; M. Bjoerk^a ; C. Marchiori^a ; H. Siegwart^a ; J. Fompeyrine^a

关键词：Ni&ndash ; InGaAs ; MOSFET ; Self-aligned ; SIMS ; XPS

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2012

4.Intrinsic defects in GaAs and InGaAs through hybrid functional calculations

作者：Hannu-Pekka Komsa ; ^{hannu.komsa@epfl.ch} ; Alfredo Pasquarello

关键词：GaAs ; InGaAs ; DFT ; Hybrid functional

刊名：Physica B

出版年：2012

5.NH₃-rich growth of InGaN and InGaN/GaN superlattices by NH₃-based molecular beam epitaxy

作者：J.R. Lang ; ^{jrlang@umail.ucsb.edu} ; J.S. Speck

关键词：A1. Crystal morphology ; A3. Molecular beam epitaxy ; A3. Superlattices ; B1. Nitrides ; B2. Semiconducting indium compounds

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2012

6.SiO_x interlayer to enhance the performance of InGaZnO-TFT with AlO_x gate insulator

作者：Jun Li^a ; ^b ; ^{lijun_yt@shu.edu.cn} ; Fan Zhou^a ; Hua-Ping Lin^a ; Wen-Qing Zhu^a ; ^b ; Jian-Hua Zhang^b ; Xue-Yin Jiang^a ; Zhi-Lin Zhang^a ; ^b

关键词：Thin film transistor ; InGaZnO ; SiOx interlayer ; Bias stability

刊名：Current Applied Physics

出版年：2012

7.Hot carrier degradation of InGaZnO thin film transistors under light illumination at the elevated temperature

作者：Sueng Min Lee^a ; Chong Gun Yu^a ; Won-Ju Cho^b ; Jong Tae Park^a ; ^{jtpark@incheon.ac.kr}

关键词：InGaZnO thin film transistor ; Hot carrier degradation ; Light illumination

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2012

8.Investigation of electron energy states in InGaN/GaN multiple quantum wells

作者：M. Asghar^a ; ^{mhashmi@iub.edu.pk} ; E. Hurwitz^b ; A. Melton^b ; M. Jamil^c ; Ian T. Ferguson^b ; Rahpael Tsu^b

关键词：MQWs ; III-nitrides ; DLTS ; Photoluminescence ; Energy states ; Blue LED

刊名：Physica B

出版年：2012

9.Comparison studies of InGaN epitaxy with trimethylgallium and triethylgallium for photosensors application

作者：Kai-Hsuan Lee^a ; ^c ; ^{lee.kh@nsrrc.org.tw} ; Ping-Chuan Chang^b ; Shoou-Jinn Chang^c ; ^d ; Yan-Kuin Su^b ; ^c ; ^d ; San-Lein Wu^e ; Manfred Pilkuhn^c ; ^f

关键词：Semiconductors ; Epitaxial growth ; Chemical vapor deposition (CVD)

刊名：Materials Chemistry and Physics

出版年：2012

10.Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE

作者：M. Milanova^a ; ^{milanovam@yahoo.com} ; P. Vitanov^b ; P. Terziyska^c ; G. Popov^a ; G. Koleva^a

关键词：A3. Liquid phase epitaxy ; B1. Alloys ; B2. Dilute nitrides ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2012

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