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1.新型碳化硅微波功率MESFET结构设计及性能分析

作者：宋坤

关键词：碳化硅 ; 肖特基栅场效应晶体管 ; 表面陷阱 ; 隔离层 ; 频率特性

论文级别：博士

学位年度：2013

2.电荷耦合器件质子辐照损伤实验及数值模拟研究

作者：王祖军

关键词：电荷耦合器件 ; 质子辐照 ; 位移损伤 ; 电离损伤 ; 数值模拟

论文级别：博士

学位年度：2011

3.SiC MOS器件和电路温度特性的研究

作者：刘莉

关键词：碳化硅 ; MOSFET ; 温度 ; CMOS倒相器 ; CMOS运算放大器

论文级别：博士

学位年度：2008

4.4H-SiC MESFET非线性模型研究

作者：曹全君

关键词：4H-SiC ; MESFET ; 射频 ; 大信号模型 ; 自热效应 ; DIBL效应

论文级别：博士

学位年度：2008

5.4H-SiC埋沟MOSFET的高频小信号特性研究

作者：柏凤华

关键词：SiC ; 埋沟 ; MOSFET ; 截止频率

论文级别：硕士

学位年度：2007

6.4H-SiC埋沟MOSFET击穿特性模拟研究

作者：夏杰

关键词：碳化硅 ; 埋沟 ; MOSFET ; 击穿电压

论文级别：硕士

学位年度：2006

7.电子倍增CCD的工作模式及其光子计数成像研究

作者：周蓓蓓

关键词：微光成像 ; 电子倍增CCD ; 电荷载流子倍增 ; 等效电路 ; 噪声 ; 双重阈值法 ; 贝叶斯统计 ; 光子计数成像

论文级别：博士

学位年度：2011

8.CCD计算机模拟研究

作者：孙杰

关键词：CCD ; 器件模拟 ; PISCES ; 数值分析

论文级别：硕士

学位年度：2001

9.基于噪声特性的电子倍增CCD最佳工作模式研究

作者：张闻文

关键词：微光成像 ; 电子倍增CCD ; 噪声特性 ; 最佳工作模式 ; 极限探测性能 ; 光子-噪声传递技术

论文级别：博士

学位年度：2009

10.碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及特性研究

作者：尹儒

关键词：碳化硅 ; 功率UMOSFET ; 导通电阻 ; 击穿电压 ; 栅增强

论文级别：硕士

学位年度：2011

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