<EM>α‐PbO2型TiO2电子结构的第一性原理计算
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摘要
基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势方法,从第一性原理计算的角度,应用GGA对TiO2的高压相<EM>α‐PbO2型TiO2的晶格参数和电子结构作了比较系统的计算,得到优化后的晶格参数与实验值十分符合。电子结构计算表明α‐PbO2型TiO2属于间接带隙半导体,其禁带宽度为2.47 eV,大于锐钛矿型TiO2计算的带隙值Eg=2.12 eV,主要原因在于α‐PbO2型TiO2结构具有较低的晶体对称性,并且其Ti—O平均键长更长,Ti与O离子的正负电荷数较少,Ti3d轨道与O2p轨道杂化程度较弱。在理论上确认对称性较低的高压矿物α‐PbO2型TiO2高压相的光催化效果不及常态相锐钛矿型TiO2好。

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