La³⁺离子掺杂钨酸铅单晶的微结构缺陷

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• 责任者：黄彦林^c苏州大学 ; 赵韧^c南京大学 ; 赵连泽 ; 朱文亮
• 刊名：矿物学报
• 出版年：2006
• 卷期：26^b1
• 关键词：钨酸盐矿物 ; 镧20^a晶体生长 ; 晶体缺陷 ; 机制30^a钨酸铅 ; 发光光谱
• 页码：84～88
• 索书号：P310.66/967
• 图表：^c参18插图
• 分类号：0200
• 文摘期号：2006/08

摘要

钨酸铅晶体是一种非化学计量化合物,缺陷丰富,蕴含着利用掺杂产生新效应和开发新功能的广泛可能性。探讨了不同浓度La³⁺掺杂对于钨酸铅晶体发光性能的影响,如热释光、X射线激发发光、光致发光等。La³⁺掺杂有效地抑制了陷阱中心,使发光受到强烈的抑制,在高浓度掺杂的钨酸铅中,激发机制有所改变,通过XPS测试的结果分析了不同浓度La³⁺掺杂机制。低浓度掺杂中,La³⁺取代Pb²⁺,形成缺陷复合体[2(La³⁺_Pb)^·‐(VPb)″]，高浓度掺杂晶体中,La³⁺离子不但占据Pb²⁺位置,而且也会占据W⁶⁺位(La³⁺_W)＇＇＇,产生La³⁺的。自补偿机制,形成La³⁺的自补偿对[(La³⁺_W)＇＇＇‐(La³⁺_Pb)^·]-(VO)^··或缺陷聚集体[3(La³⁺_Pb)^·‐(La³⁺_W)＇＇＇]。