Nb掺杂Bi₄Ti₃O₁₂陶瓷的微结构与介电性能研究

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• 出版年：2009
• 作者：黄小丹；王华；任明放；许积文；杨玲
• 单位1：桂林电子科技大学材料信息科学与工程系
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：铁电陶瓷；介电性能；BIT；微结构
• 起始页：9
• 总页数：4
• 经费资助：教育部科学技术研究重点项目（208109）；广西科学基金（桂科自0832247）；广西研究生教育创新计划资助项目（2008105950805M439）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：4
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi₄Ti₃O₁₂（BIT）铁电陶瓷。用XRD和AFM对其微观结构进行了分析，研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响。结果发现，微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构，但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度。同时，Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰，适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗。