激光功率对多孔硅微Raman谱的影响
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  • 出版年:2007
  • 作者:任鹏;孙立来;廖家欣;李君求;万小军;史向华;刘小兵
  • 单位1:长沙理工大学物理与电子科学学院
  • 出生年:1970
  • 学历:研究生
  • 语种:中文
  • 作者关键词:多孔硅;热稳定性;微Raman谱;激光功率
  • 起始页:138
  • 总页数:3
  • 经费资助:湖南省自然科学基金(04JJ3030)资助课题;湖南省教育厅科研基金(03B006)资助课题
  • 刊名:材料导报
  • 是否内版:否
  • 刊频:月刊
  • 创刊时间:1987
  • 主办单位:科学技术部西南信息中心
  • 主编:张明
  • 地址:重庆市北部新区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 电子信箱:mat-rev@163.com;matreved@163.com;editer@mat-rev.com
  • 网址:http://www.mat-rev.com
  • 卷:21
  • 期:5
  • 期刊索取号:P822.06 432
  • 数据库收录:全国中文核心期刊;中国科学引文数据库来源期刊;中国科技论文统计源期刊
  • 核心期刊:全国中文核心期刊
摘要
运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性。用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度。观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致。所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释。

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