二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应
- 出版年：1992
- 作者：周婷俐
- 单位1：计算机科学系
- 语种：中文
- 作者关键词：背栅效应；扭曲效应；复合-产出率
- 起始页：744
- 总页数：4
- 刊名：中南矿冶学院学报
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1956
- 主办单位：中南工业大学
- 主编：何继善
- 地址：湖南长沙岳麓山
- 邮编：410083
- 卷：23
- 期：6
- 期刊索取号：P706.6 140
摘要
文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型.所选用的基本方程是：泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程.这个模型从SOI器件的特殊结构出发，着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响，分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲（Kink）效应产生的机理.