FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的应力阻抗效应研究
- 出版年：2010
- 作者：刘均东；张万里；彭斌
- 单位1：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
- 出生年：1983
- 学历：硕士研究生
- 语种：中文
- 作者关键词：FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜；应力阻抗效应；柔性基片
- 起始页：20
- 总页数：3
- 经费资助：国家自然科学基金（50501004）；国防预研基金（9140A23060307DZ0223）
- 刊名：材料导报
- 是否内版：否
- 刊频：半月刊
- 创刊时间：1987
- 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
- 主办单位：重庆西南信息有限公司
- 主编：张明
- 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
- 邮编：401121
- 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
- 网址：http://www.mat-rev.com
- 卷：24
- 期：12
- 期刊索取号：P822.06 432
- 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
- 核心期刊：中文核心期刊
摘要
采用直流磁控溅射法在柔性Kapton基片上制备了三明治结构的FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜，研究了多层膜的交流阻抗随外加应力变化的规律。测试结果表明，三明治结构多层膜的阻抗随外加应力的增大而增大，应力阻抗效应随中间导电层厚度以及铁磁层厚度的增加而增强，同时应力阻抗效应也与测试频率密切相关。