一个特殊单滑移取向铜单晶疲劳位错结构研究
- 出版年：2009
- 作者：周杨；李小武；张广平；张哲峰
- 单位1：东北大学理学院材料物理与化学研究所
- 出生年：1984
- 学历：硕士生
- 语种：中文
- 作者关键词：铜单晶；循环变形；位错结构；SEM-ECC；驻留滑移带PSBs
- 起始页：649
- 总页数：5
- 经费资助：国家自然科学基金资助项目（50671023；50771029）；教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目（NCET-07-0162）；教育部留学回国人员科研启动基金资助项目（20071108-1）.
- 刊名：材料科学与工艺
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1982
- 主管单位：国防科学技术工业委员会
- 主办单位：中国材料研究学会；哈尔滨工业大学
- 主编：冯吉才
- 电子信箱：cailiaokexue@hope.HIT.edu.cn
- 网址：http：//journal.hit.edu.cn/
- 卷：17
- 期：5
- 期刊索取号：P822.06 423
摘要
为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制，利用扫描电镜电子通道衬度（SEM-ECC）技术观察研究了Schmid因子为0.5的[41841]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明，在单滑移铜单晶体中，胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外，还可能出现在循环应力一应变（CSS）曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带（PSBs）会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带，带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外，CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.