SiC_W/MoSi₂的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究

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• 出版年：2008
• 作者：许剑光；张厚安；张宝林；李文兰
• 单位1：湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所
• 单位2：中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出生年：1977
• 学历：博士
• 职称：副教授
• 语种：中文
• 作者关键词：MoSi₂；SiC晶须；“化学炉”；自蔓延高温合成；原位复合
• 起始页：98
• 总页数：3
• 经费资助：国家自然科学重点基金项目（50232020）
• 刊名：矿冶工程
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1981
• 主管单位：长沙矿冶研究院
• 主办单位：长沙矿冶研究院；中国金属学会
• 主编：曾维勇
• 地址：湖南省长沙市麓山南路966号
• 邮编：410012
• 电子信箱：kygc@public.cs.hn.cn
• 网址：http://kygc.net
• 卷：28
• 期：4
• 期刊索取号：P706 967-30
• 数据库收录：“中国期刊方阵”双效期刊；中国科学引文数据库(CSCD)收录期刊；全国中文核心期刊；中国知网(CNKI)收录期刊；万方数据(CHINAINFO)收录期刊；维普资讯(VIP INFORMATION）收录期刊；国外多家知名数据库收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用“化学炉”自蔓延高温合成（COSHS）技术，成功地原位合成了SiC_w/MoSi₂复合粉体。通过在原料中引入Si3N。晶须，在产物中获得了SiC晶须。XRD结果表明，产物中除了主要的MoSi₂和SiC相，还含有少量的Mo_4.8SiC_0.6。研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化，指出“化学炉”自蔓延合成SiC_w/MoSi₂复合粉体的反应过程包括如下两步反应：①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi₂；②Si₃N₄与C反应生成SiC和N₂。