CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究
- 出版年：2006
- 作者：胡伟；魏昕；谢小柱；向北平
- 单位1：广东工业大学机电工程学院
- 出生年：1978
- 学历：硕士
- 职称：助教
- 语种：中文
- 作者关键词：化学机械抛光；抛光液；抛光效率；表面平整度
- 起始页：78
- 总页数：3
- 经费资助：广东省科技攻关项目（No.2002C1020201），广东省自然科学基金项目（No.020143），留学回国人员科研启动基金项目（教外司(2003)14号），广东省教育厅人才基金项目（粤教科(2002)44号），广东工业大学青年基金（042026）
- 刊名：金刚石与磨料磨具工程
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 主办单位：郑州磨料磨具磨削研究所
- 主编：王琴
- 地址：郑州市华山路121号
- 邮编：450007
- 电子信箱：diamond@371.net
- 期：6
- 期刊索取号：P666.06 836
- 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；Ei收录用刊；CA收录用刊
- 核心期刊：全国中文核心期刊
摘要
本文分析了化学机械抛光（CMP）半导体晶片过程中抛光液的重要作用，总结了抛光液的组成及其化学性能（氧化剂、磨料及pH值等）和物理性能（流速、粘性及温度）对抛光效果的影响规律，研究发现：酸性抛光液常用于抛光金属材料，pH最优值为4，碱性抛光液常用于抛光非金属材料，pH最优值为10～11.5；氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度；磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果；分散剂有助于保持抛光液的稳定性；抛光初始阶段宜采用较低流速，然后逐渐提高；抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应；抛光液温度的升高有助于提高抛光效率。最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法。