CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较

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• 出版年：2010
• 作者：刘登峰；李园园；汪晓芹；杨志远
• 单位1：西安科技大学化学与化工学院
• 出生年：1978
• 学历：硕士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：钝化；CdZnTe晶片；化学抛光；表面漏电流；探测器
• 起始页：40
• 总页数：3
• 经费资助：陕西省教育厅专项（06JK244）资助
• 刊名：材料保护
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1960
• 主管单位：中国机械工业联合会
• 主办单位：武汉材料保护研究所；中国腐蚀与防护学会；中国表面工程协会
• 主编：徐军
• 地址：武汉市宝丰二路126号
• 邮编：430030
• 电子信箱：bjb@mat-pro.com
• 网址：http://www.mat-pro.com
• 卷：43
• 期：5
• 期刊索取号：P822.06 331
• 数据库收录：中国期刊方阵双高期刊

摘要

常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe（CZT）晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕，采用溴甲醇（Br₂-CH₃OH）腐蚀可有效去除损伤层和划痕，使表面变得光亮平整。但经Br₂-CH₃OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流，为此，采用H₂O₂溶液，NH₄F/H₂O₂溶液，KOH-KCl溶液+NH₄F/H₂O₂溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺，对CZT晶片表面进行了钝化处理，并对比了其钝化效果。结果表明：二步法钝化效果最好，表面漏电流降低4个数量级，NH₄F/H₂O₂对CZT晶片表面的钝化效果较好，表面漏电流降低3个数量级。