氩气压强对直流磁控溅射ZnO：Al薄膜结构和性能的影响

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• 出版年：2007
• 作者：许积文；王华；任明放；成钧
• 单位1：桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
• 出生年：1978
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：直流磁控溅射；ZAO薄膜；方块电阻；透光率；优值
• 起始页：764
• 总页数：4
• 经费资助：广西高校百名中青年学科带头人计划资助项目（RC20060809014）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：25
• 期：5
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

基于Al₂O₃掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材，采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO：Al透明导电薄膜。研究了氩气压强对薄膜微观结构和光电性能的影响。结果表明：氩气压强对薄膜的平均透光率影响微小，其值均在86%以上，但对薄膜的微观结构和方块电阻有非常明显的影响。随着氩气压强的增大，薄膜的晶粒形状由片状向球状变化，并呈现出c轴择优生长特性。氩气压强在0.6～3.0Pa范围内增长时，薄膜的方块电阻先缓慢减小，2.OPa后急剧增大。在压强为1.5Pa时，薄膜具有最好的电学性能，其电阻率为1.4×10^-3Ω•cm，方块电阻为10ΩΩ/sq，优值为1.6ΩΩ^-1，符合评价标准。