GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究

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• 出版年：2009
• 作者：杜江锋；赵金霞；于奇；杨谟华
• 单位1：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
• 出生年：1976
• 学历：博士生
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：GaN；热氧化；Ga₂O₃；XPS；SE
• 起始页：12
• 总页数：3
• 经费资助：国家重大基础研究发展计划（973）（513270408）；国家自然科学基金（60576007）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科学技术部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：22
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用X射线光谱仪（XPS）和椭偏测试仪（SE）对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时，XPS测试结果表明，所得氧化物类型为Ga₂O₃，且由于大量O空位的存在，其表面Ga/O比率约为1.2。SE测试结果表明，GaN线性氧化速率约为40nm/h，呈抛物线生长，最终平均氧化速率约为25nm/h。在300～800nm测试范围内，Ga₂O₃折射率为1.9～2.2，与文献测试结果相符。但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象，这与GaN在此波段的强吸收有关。