铜基封装材料的研究进展

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• 出版年：2009
• 作者：蔡辉；王亚平；宋晓平；丁秉钧
• 单位1：西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室
• 出生年：1982
• 学历：博士生
• 语种：中文
• 作者关键词：铜基复合材料；电子封装；碳化硅；硅
• 起始页：24
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金（50871078）；教育部新世纪优秀人才项目资助项目
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：15
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求，是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar（Mo、Kovar）/Cu层状材料、Cu/ZrW₂O₈（Ti-Ni）负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题。指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向。