Mg—Gd—Y系合金微弧氧化陶瓷层生长机理及耐蚀性

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2010
• 作者：王萍；李建平；杨忠；郭永春
• 单位1：西安工业大学材料与化工学院
• 出生年：1979
• 学历：博士研究生
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：镁-钆-钇系合金；微弧氧化；生长机理；耐蚀性
• 起始页：903
• 总页数：5
• 经费资助：61330面向未来武器装备的高性能镁合金基础研究（6133-002B2008）资助项目。
• 刊名：硅酸盐学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1957
• 主管单位：中国科学技术学会
• 主办单位：中国硅酸盐学会
• 主编：黄勇
• 地址：北京海淀区三里河路11号
• 邮编：100831
• 电子信箱：jccsoc@vip.163.com
• 网址：http://www.jccsoc.com；http://www.ceramsoc.com；http://gsyxb.periodicals.net.cn；http://gxyb.chinajournal.net.cn
• 卷：38
• 期：5
• 期刊索取号：P872.066 591
• 数据库收录：Ei核心期刊；CA，SA，РЖ收录期刊
• 核心期刊：Ei核心期刊

摘要

利用扫描电镜、X射线衍射等研究了Mg-11%Gd-1%Y-0.5%Zn（质量分数）合金微弧氧化陶瓷层的生长规律，分析了微弧氧化膜层相结构及不同生长阶段的耐蚀性。结果表明：在微弧氧化初期，膜层生长遵循直线规律，为典型的电化学极化控制的阳极沉积阶段；随处理时间的延长及膜层增厚，膜层生长符合抛物线规律，属微弧氧化阶段，较氧化初期比，生长速率慢；在弧光放电阶段，抛物线斜率增大，疏松层增厚，生长速率有所提高。微弧氧化疏松层主要以MgSiO₃为主，致密层以MgO为主；微弧氧化各阶段，膜层耐蚀性随氧化时间增长而提高，到弧光放电阶段，耐蚀性有所降低。氧化时间为7～12min时，制备的膜层具有较好的耐蚀性。