透明导电氧化物Mgln₂O₄的研究进展

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• 出版年：2005
• 作者：张俊刚；夏长泰；吴锋；徐军
• 单位1：中国科学院上海光学精密机械研究所
• 出生年：1977
• 学历：在读博士
• 语种：中文
• 作者关键词：透明导电氧化物；Mgln₂O₄材料；磁控溅射；脉冲激光沉积
• 起始页：444
• 总页数：6
• 经费资助：中国科学院“百人计划”资助项目；国家教育部留学回国人员启动资金资助项目；国家自然科学基金项目(No.50472032)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 主办单位：中国硅酸盐学会晶体生长于材料专业委员会；人工晶体研究所
• 主编：余明清
• 卷：34
• 期：3
• 期刊索取号：P311.06105
• 数据库收录：《EI》收录源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质，在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。Mgln₂O₄作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料，也受到了研究人员的重视，成为近年来的研究热点，常用的Mgln₂O₄材料制备方法包括固相合成、磁控溅射、脉冲激光沉积等，本文综合国外学者的一些研究成果，介绍了目前Mgln2O4材料的制备方法及其性能提高和应用。