Ni—Al—V合金Ll₂相间有序畴界面的微观相场模拟

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• 出版年：2007
• 作者：张明义；王永欣；陈铮；张静；赵彦；甄辉辉
• 单位1：西北工业大学材料学院
• 出生年：1982
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：Ni—Al—V合金；Ll₂（Ni₃Al）相；有序畴界；成分偏聚；界面迁移；微观相场
• 起始页：1101
• 总页数：6
• 经费资助：国家自然科学基金项目50671084及陕西省自然科学基金项目
• 刊名：金属学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1956
• 主办单位：中国金属学会
• 主编：柯俊
• 地址：沈阳文化路72号
• 邮编：110016
• 电子信箱：jsxb@imr.ac.cn
• 网址：www.ams.org.cn
• 卷：43
• 期：10
• 期刊索取号：P750.66 350
• 数据库收录：第三届国家期刊奖

摘要

利用微观相场动力学模型模拟Ni—Al—V合金沉淀过程中Ll₂（Ni₃Al）相间有序畴界面，对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究。结果表明：Ll₂相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面；界面的迁移性与界面结构有关，一个Ll₂相的（100）和另一个Ll₂相的（200）对应且有两个Ni原子面的界面以及（100）和（100）对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移，迁移前后界面结构保持不变，迁移的过程中形成过渡界面；而（100）和（200）对应且有个Ni原子面的稳定界面则不可迁移。合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向，Al原子在所有界而处贫化，V原子在所有界面处偏聚，Ni原子在可迁移界面处贫化，而在不可迁移界面处偏聚，且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同。