高硅铁尾矿合成SiC粉体技术研究

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• 出版年：2010
• 作者：仉小猛；徐利华；郝洪顺；杨剑英；何芳
• 单位1：北京科技大学无机非金属材料系
• 出生年：1979
• 学历：博士生
• 语种：中文
• 作者关键词：高硅铁尾矿；SiC粉体；碳热还原
• 起始页：60
• 总页数：4
• 经费资助：国家科技支撑计划重大项目（2006BAB02A09）；国家科技支撑计划重点项目（2006BAB12B03）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：2
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

以高硅铁尾矿为主要原料，利用碳热还原法合成了SiC粉体。分析了合成过程的反应机理，探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响。结果表明，最终产物中β3-SiC为主晶相，Fe_xSi_y为次晶相；影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量，其次是反应温度；在保证配碳过量的情况下，保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显；产物晶粒存在多种几何形状，其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在，并且晶粒表面比较光滑，晶粒的尺寸分布不均匀。合成SiC的最佳工艺参数为：n（C）：n（SiO₂）=5，合成温度1500℃，恒温时间8h，氩气流量0.6L/min。