用MWECRCVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
- 出版年：2010
- 作者：谢耀江；胡跃辉；肖仁贤；陈光华；徐海军；陈义川；王立富
- 单位1：景德镇陶瓷学院
- 语种：中文
- 作者关键词：MWECRCVD沉积系统；非晶硅；微晶硅
- 起始页：596
- 总页数：5
- 经费资助：江西省自然科学基金（编号：2007GZW0787）；江西省教育厅（编号：QJJ08317，QJJ09540及GJJ08318）
- 刊名：陶瓷学报
- 是否内版：否
- 刊频：季刊
- 创刊时间：1980
- 主管单位：景德镇陶瓷学院
- 主办单位：景德镇陶瓷学院
- 主编：秦锡麟
- 地址：景德镇东郊新厂景德镇陶瓷学院
- 电子信箱：tcxb_0798@163.com
- 网址：http://TCXB.chinajournal.net.cn
- 卷：31
- 期：4
- 期刊索取号：P872.41066 617
- 数据库收录：中国学术期刊（光盘版）；中国期刊网；中文核心期刊；中国科技核心期刊
- 核心期刊：中文核心期刊；中国科技核心期刊
摘要
用微波电子回旋共振化学气相沉积（MWECRCVD）系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜，研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明：较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜，当反应压为0.7Pa、衬底温度为170℃时，得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%；具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜，μT乘积值约为10-5量级左右，比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μT乘积值大约2个量级，同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右，其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性，是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。