以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2006
• 作者：薛成山；董志华；庄惠照；王书运；高海永；田德恒；吴玉新
• 单位1：山东师范大学
• 出生年：1945
• 职称：教授
• 语种：中文
• 作者关键词：射频磁控溅射；自组装；中间层；SiC
• 起始页：463
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（90201025，90301002）
• 刊名：稀有金属材料与工程
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国有色金属学会；中国材料研究学会；西北有色金属研究院
• 主编：殷为宏
• 地址：北京市东黄城根北街16号
• 邮编：100717
• 电子信箱：rmme@c-nin.com
• 网址：http://www.c-nin.com
• 卷：35
• 期：3
• 期刊索取号：P822.06 141-1
• 数据库收录：国家重点学术期刊；首届国家期刊奖；中国优秀科技期刊一等奖；中国有色金属工业；优秀科技期刊一等奖；中国期刊方阵双奖期刊；陕西省优秀科技期刊特等奖；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库文献源；中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊；中国学术期刊光盘版入网刊物；美国ISI数据库用刊(Sci Search®，Research Alert®,Materials ScienceCitation Index®）；美国工程索引(EI)文献源期刊；美国化学文摘(CA)文献源期刊；英国科学文摘(INSP
• 核心期刊：中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊

摘要

为了用简单的方法得到GaN薄膜，以射频磁控溅射方法将Ga₂O₃薄膜沉积到Si（111）衬底上的SiC中间层上，通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样，利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。为了比较中间层的作用，对按照两种方案（使用中间层和不使用中间层）实验样品进行了测试和比较。实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。