靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr 透明导电薄膜性能的影响
详细信息   全文下载|推荐本文 |
  • 出版年:2010
  • 作者:张化福;陈钦生;刘汉法
  • 单位1:山东理工大学理学院
  • 出生年:1977
  • 学历:硕士
  • 语种:中文
  • 作者关键词:靶与衬底之间的距离;ZnO:Zr;透明导电薄膜;磁控溅射
  • 起始页:1412
  • 总页数:5
  • 经费资助:山东省自然科学基金(ZR2009GQ011)资助项目
  • 刊名:人工晶体学报
  • 是否内版:否
  • 刊频:双月刊
  • 创刊时间:1972
  • 主管单位:中国建筑材料联合会
  • 主办单位:中材人工晶体研究院
  • 主编:沈德忠
  • 电子信箱:jtxbbjb@126.com
  • 网址:www.jtxb.cn
  • 卷:39
  • 期:6
  • 期刊索取号:P311.06105
  • 核心期刊:中文核心期刊;《EI》核心期刊
摘要
利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当靶与衬底之间的距离从60mm减小到50mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大。当靶与衬底之间的距离为50mm时,薄膜的电阻率达到最小值4.2×10-4Ω·cm,其可见光透过率超过95%。实验制备的ZnO:Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700