ZnO：Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

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• 出版年：2006
• 作者：徐艺滨；杜国同；刘维峰；杨天鹏；王新胜
• 单位1：大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
• 出生年：1981
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：射频磁控溅射；透明导电薄膜；AZO膜
• 起始页：569
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目(No．60307002)；吉林大学创新基金
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
• 主编：余明清
• 电子信箱：E-mail:bjb@jtxb.cn
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：35
• 期：3
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO: Al(AZO)透明导电薄膜，靶材为AZO（2%质量分数Al₂O₃）陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好，可见光区平均透过率达到89%以上，电阻率最低为9.3×10^-4Ω·cm。