ZnO：Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究
- 出版年：2004
- 作者：方泽波；朋兴平；谭永胜；何志巍；王印月
- 单位1：兰州大学物理系
- 出生年：1975
- 职称：博士
- 语种：中文
- 作者关键词：ZnO；RF溅射；透明导电薄膜
- 起始页：502
- 总页数：3
- 经费资助：甘肃省自然科学基金（ZS011-A25-050-C）资助项目
- 刊名：稀有金属
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1977
- 主办单位：中国有色金属工业协会
- 主编：屠海令
- 地址：北京新街口外大街2号
- 邮编：100088
- 电子信箱：jrmchina@public.fhnet.cn.net
- 网址：http://zxjs.chinajournal.net.cn
- 卷：28
- 期：3
- 期刊索取号：P755.06 709-1
- 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；美国化学文摘（CA）源期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库原期刊
- 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊
摘要
用RF磁控反应共溅射法在Si（l11）衬底上制备出了铽（Tb）掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明，在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向，电阻率降低到9.34×10-4Ω·cm，且可见光段（400～800nm）平均透过率大于80%的ZnO：Tb新型透明导电材料。