氩氧比例对Al₂O₃薄膜结构及性能的影响

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• 出版年：2009
• 作者：杨和梅；姚正军；闫凯；陈丹丹
• 单位1：南京农业大学工学院机械系
• 出生年：1964
• 学历：硕士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：无机非金属材料；Al₂O₃薄膜；直流反应磁控溅射；氩氧比；介电性能
• 起始页：33
• 总页数：4
• 经费资助：江苏省自然科学基金资助项目（BK2005128）
• 刊名：有色金属
• 是否内版：否
• 刊频：季刊
• 创刊时间：1980
• 主管单位：中国有色金属工业协会
• 主办单位：北京矿冶研究总院
• 主编：张振健
• 地址：西直门外文兴街1号
• 邮编：100044
• 电子信箱：yous@chinajournal.net.cn；ysjs@periodicals.net.cn
• 网址：http://yous.chinajournal.net.cn；http://ysjs.periodicals.net.cn
• 卷：61
• 期：3
• 期刊索取号：P706 179
• 数据库收录：国外六大检索刊源；全国中文核心期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al₂O₃薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析等方法检测薄膜的组织结构、化学成分和介电性能。结果表明，在250℃的低温条件下，不同氩氧比例的Al₂O₃薄膜都为非晶结构。随着氧分量的增加，Al₂O₃薄膜的表面由平滑致密变得粗糙，化学计量失配度增大。在氧分量较小的气氛下，Al₂O₃薄膜均匀致密，化学计量失配度较小，Al/O原子比接近2/3。随着氩氧比的增大，Al₂O₃薄膜的介电常数减小和介电损耗增大，当氩氧比为3：1时，Al₂O₃薄膜的介电常数较大（ε=7.9～10.3），介电损耗较小（tanδ<0.2），薄膜的介电性能相对较好。