残余碳对碳化硅陶瓷光学表面加工性能的影响

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• 出版年：2010
• 作者：刘桂玲；陈健；黄政仁；刘学建
• 单位1：中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出生年：1983
• 学历：博士
• 职称：助理研究员
• 语种：中文
• 作者关键词：碳化硅；残余碳；光学表面加工；反射率
• 起始页：1523
• 总页数：4
• 刊名：硅酸盐学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1957
• 主管单位：中国科学技术学会
• 主办单位：中国硅酸盐学会
• 主编：黄勇
• 地址：北京海淀区三里河路11号
• 电子信箱：jccsoc@vip.163.com
• 网址：http://www.jccsoc.com；http://www.ceramsoc.com；http://gsyxb.periodicals.net.cn；http://gxyb.chinajournal.net.cn
• 卷：38
• 期：8
• 期刊索取号：P872.066 591
• 数据库收录：Ei核心期刊；CA，SA，РЖ收录期刊
• 核心期刊：Ei核心期刊

摘要

为深入了解碳化硅陶瓷的光学表面加工性能，采用常压固相烧结法制备了碳化硅陶瓷，在保证致密度的前提下，通过改变碳的含量，研究了残余碳对SiC陶瓷抛光面的表面质量和光学性能的影响。研究发现，C的质量含量为3%～7%时，SiC陶瓷抛光表面的RMS（rootmeansquare）粗糙度均约为2nm。当C含量为3%～6%时，SiC陶瓷抛光表面在400～750nm波段的全反射率、漫反射率和镜面反射率无明显变化；当C含量升至7%时，全反射率稍有降低，漫反射率稍有上升，镜面反射率稍有降低。其原因可能是过多的残余碳引起SiC陶瓷的折射率下降和产生光学散射，最终造成镜面反射率降低。