PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究
- 出版年：2008
- 作者：马康；王海燕；吴芳；卢景霄；郜小勇；陈永生
- 单位1：郑州大学材料物理教育部重点实验室
- 出生年：1982
- 学历：硕士
- 语种：中文
- 作者关键词：PECVD；微晶硅薄膜；晶化率；生长机制
- 起始页：97
- 总页数：5
- 经费资助：国家重点基础研究发展规划(973)项目(No.2006GB202601)
- 刊名：人工晶体学报
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1972
- 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
- 主编：余明清
- 电子信箱：bjb@jtxb.cn；jtxbbjb@126.com
- 网址：www.jtxb.cn
- 卷：37
- 期：1
- 期刊索取号：P311.06105
- 核心期刊：中文核心期刊
摘要
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响，得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大，薄膜的晶化率得到提高；但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差，并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨。