多层共烧元件界面研究的现状与展望
- 出版年：2008
- 作者：杜支波；包生祥；彭晶；李世岚；马丽丽
- 单位1：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
- 出生年：1979
- 学历：硕士生
- 语种：中文
- 作者关键词：多层元件；界面；共烧匹配；扩散；主导烧结曲线
- 起始页：26
- 总页数：4
- 经费资助：国防科工委共性项目资助
- 刊名：材料导报
- 是否内版：否
- 刊频：月刊
- 创刊时间：1987
- 主管单位：科学技术部
- 主办单位：科学技术部西南信息中心
- 主编：张明
- 地址：重庆市北部新区洪湖西路18号
- 邮编：401121
- 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
- 网址：http://www.mat-rev.com
- 卷：22
- 期：4
- 期刊索取号：P822.06 432
- 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
- 核心期刊：全国中文核心期刊
摘要
通过调研国内外多层陶瓷元件界面的研究现状，并结合自身工作，分析了在制备过程中多层陶瓷元件界面所存在的关键问题及其难点：共烧匹配性、扩散、结合性能等，提出了相应的控制措施，展望了其发展方向。并介绍了主导烧结曲线（MSC）、有限成分法（FEM）等相关的理论模型。这些都是有效控制界面品质，获得高性能多层陶瓷元件的关键。