非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究
- 出版年：2004
- 作者：周春锋；高瑞良；齐德格；赖占平
- 单位1：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 出生年：1975
- 学历：学士
- 职称：助理工程师
- 语种：中文
- 作者关键词：半导体物理学；砷沉淀；AB微缺陷；半绝缘砷化镓单晶片
- 起始页：476
- 总页数：4
- 刊名：稀有金属
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1977
- 主办单位：中国有色金属工业协会
- 主编：屠海令
- 地址：北京新街口外大街2号
- 邮编：100088
- 电子信箱：jrmchina@public.fhnet.cn.net
- 网址：http://zxjs.chinajournal.net.cn
- 卷：28
- 期：3
- 期刊索取号：P755.06 709-1
- 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；美国化学文摘（CA）源期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库原期刊
- 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊
摘要
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片，有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究，确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数，证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度，即AB-EPD，同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析，给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。