MBE生长AIGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制
- 出版年：2004
- 作者：唐田；张永刚；郑燕兰；唐雄心；李爱珍
- 单位1：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
- 出生年：1980
- 学历：博士研究生
- 语种：中文
- 作者关键词：InGaAsSb；AlGaAsSb；应变
- 起始页：530
- 总页数：3
- 经费资助：国家“863”计划项目（2002AA313040）；国家“973”计划项目（C20000683）；国家自然科学基金重点项目（60136010）资助
- 刊名：稀有金属
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1977
- 主办单位：中国有色金属工业协会
- 主编：屠海令
- 地址：北京新街口外大街2号
- 邮编：100088
- 电子信箱：jrmchina@public.fhnet.cn.net
- 网址：http://zxjs.chinajournal.net.cn
- 卷：28
- 期：3
- 期刊索取号：P755.06 709-1
- 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；美国化学文摘（CA）源期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库原期刊
- 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊
摘要
基于理论计算和实验，对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明，通过对材料中的As组份调节，可以对材料中的应变进行控制，达到良好的应变补偿效果，实验结果和理论计算相当吻合。