金刚石薄膜界面状态及其生长过程的研究
- 出版年：1991
- 作者：卢鸿修；胡晋生；朱静；戚立昌；杨佩春；玄真武；浦新；侯立
- 单位1：钢铁研究总院
- 语种：中文
- 作者关键词：金刚石薄膜；过渡层；非晶态碳；胚芽层；EACVD
- 起始页：27
- 总页数：6
- 刊名：人工晶体学报
- 是否内版：否
- 刊频：季刊
- 创刊时间：1972
- 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长于材料专业委员会；人工晶体研究所
- 卷：20
- 期：1
- 期刊索取号：P311.06105
摘要
本文以Si(100）为衬底，利用电子增强式化学汽相沉积方法生长的金刚石膜为试样，用透射电镜(Cross-seotion制样）和扫描电镜观测了金刚石薄膜界面状态及其生长过程。研究表明：界面是一种非晶态的碳的过渡层，其衍射晕环的中心所对应的面间距与金刚石相近。界面的边缘或平整或凹凸不平，参差不齐，宽度在0.2—0.8μm之间。界面上所生长的金刚石薄膜由胚芽层和晶粒层组成；胚芽层有三种形态；同一试样上的不同部位或不同试样上的界面状态及生长过程是不同的。