AgGaGeS₄晶体生长及性能研究

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• 出版年：2010
• 作者：王振友；吴海信；倪友保；毛明生；黄飞；陈林
• 单位1：中国科学院安徽光学精密机械研究所
• 出生年：1983
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：AgGaGeS4晶体；布里奇曼法；倍频；损伤阈值
• 起始页：25
• 总页数：4
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 卷：39
• 期：1
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30mm×80mm的AgGaGeS₄单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5～9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm^-1，其中6.7～7.8μm波段小于0.02cm^-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°，□=00，尺寸7mm×7mm×2.7mm)，在中心波长8.0305μm基频光泵浦下，倍频输出了4.0153μm红外激光，实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2．05μm、脉冲宽度20ns的激光光源，测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm²。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。