硅基Zn₂SiO₄∶ZnO薄膜的电致发光

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• 出版年：2010
• 作者：张瑞捷；陈培良；马向阳；杨德仁
• 单位1：浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出生年：1985
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：电致发光；氧化锌；硅酸锌；硅
• 起始页：498
• 总页数：4
• 经费资助：中国博士后科学基金资助项目（20080441223），浙江省自然科学基金资助项目（R4090055），973资助项目（2007CB613403），科技部国际合作资助项目（2008DFR50250）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：28
• 期：4
• 期刊索取号：P82.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片（p-Si）上制备Zn₂SiO₄∶ZnO（ZnO嵌入Zn₂SiO₄基体）薄膜，在此基础上，制备了Zn₂SiO₄∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn₂SiO₄∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌，并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明：器件表现出一定的整流特性；此外，器件在正向偏压（p-Si接正极）下可以产生来自于ZnO的电致发光，而在反向偏压（p-Si接负极）下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析，对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。