低位错ZnSe单晶的生长

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• 出版年：2006
• 作者：张旭；李卫；张力强；丁进；王坤
• 单位1：人工晶体研究院
• 出生年：1978
• 职称：工程师
• 语种：中文
• 作者关键词：ZnSe单晶；化学气相输运；位错密度
• 起始页：385
• 总页数：3
• 经费资助：国家863计划(No．2002AA325030)资助项目
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
• 主编：余明清
• 电子信箱：E-mail:bjb@jtxb.cn
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：35
• 期：2
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I₂含量的条件下，生长出了φ25mm×3mm的ZnSe单晶，位错密度为6.5×10³个/cm²。对ZnSe单晶进行光学性能分析，在10.6 μm处的透过率超过70%，在10.6μm处的吸收系数为7.72×10^-4/cm。