硅片径向电阻率变化的测量方法
- 标准编号：GB/T 11073-1989
- 其他标准名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
- 标准类型：国家标准
- 关键词：电学测量 ; 电阻率 ; 硅 ; 变量 ; 径向 ; 晶体(电子)
- 发布日期：1989-03-31
- 实施日期：1990-02-01
- 摘要：本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。
- 标准分类：方法
- CCS：H21
- 英文关键词：SILICON ; RADIAL ; VARIABLE ; ELECTRICAL MEASUREMENT ; ELECTRICAL RESISTIVITY ; CRYSTALS (ELECTRONIC)
- 起草单位：峨嵋半导体材料研究所
- 归口单位：中国有色金属工业协会
- 主管单位：中国有色金属工业协会
- 执行单位：中国有色金属工业协会
- 标准状态：无效
- 页数：12
- 发布年份：1989
- 作废日期：2008-02-01
- 部分代替标准：,
- 被代替标准：GB/T 11073-2007
- 适用范围：本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距,直径大于15MM,电阻率为1×10<上标-3>~1×10<上标3>Ω.CM硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。