硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 标准编号：GB/T 14141-1993
- 其他标准名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array
- 标准类型：国家标准
- 关键词：硅 ; 扩散 ; 电阻测量 ; 离子 ; 外延层
- 发布日期：1993-02-06
- 实施日期：1993-10-01
- 摘要：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。
- 标准分类：方法
- CCS：H21
- 起草单位：峨眉半导体材料研究所
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：无效
- 页数：6
- 发布年份：1993
- 作废日期：2010-06-01
- 部分代替标准：,
- 被代替标准：GB/T 14141-2009
- 采用标准：ASTM 374:1984
- 适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0MM用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μM的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μM的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。