硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 标准编号：GB/T 6617-2009
- 其他标准名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
- 标准类型：国家标准
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
- 起草人：马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：0
- 发布年份：2009
- 代替标准：GB/T 6617-1995,GB/T 6617-1995
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量10^(-3)Ω·cm~10^2Ω·cm。