硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 标准编号：GB/T 6617-1995
- 其他标准名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
- 标准类型：国家标准
- 关键词：测量 ; 半导体材料 ; 硅 ; 电阻率
- 发布日期：1995-04-18
- 实施日期：1995-12-01
- 摘要：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围:10-3~102Ω·cm。
- 标准分类：方法
- CCS：H21
- 英文关键词：SEMICONDUCTOR MATERIALS ; RESISTIVITY ; MEASUREMENT ; ELECTRICAL RESISTIVITY ; MEASURING ; SILICONE ; SILICON
- 起草单位：上海有色金属研究所
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：无效
- 页数：6
- 发布年份：1995
- 作废日期：2010-06-01
- 部分代替标准：,
- 被代替标准：GB/T 6617-2009
- 采用标准：ASTM F673:1990
- 适用范围：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围:10<上标-3>~10<上标2>Ω·CM。