非本征半导体材料导电类型测试方法
- 标准编号：GB/T 1550-1997
- 其他标准名称：Standard methods for measuring conductivity type of extrinsic semiconducting materials
- 标准类型：国家标准
- 关键词：晶体 ; 硅 ; 半导体材料 ; 单 ; 电导测量法
- 发布单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所
- 发布日期：1997-06-03
- 实施日期：1997-12-01
- 摘要：本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测定方法。本标准适用于非本征半导体材料导电类型的测定,其中较详细地规定了锗和硅导电类型的测试方法。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果,对于非均匀试样,可在其表面上测出不同导电类型区域。本标准方法不适用于分层结构试样,如外延片的导电类型的测定。
- 标准分类：方法
- CCS：H21
- ICS：77.040.01
- 英文关键词：SEMICONDUCTOR MATERIALS ; SILICONE ; CONDUCTIMETRIC METHODS ; CRYSTALS ; SINGLE ; SILICON
- 起草单位：峨嵋半导体材料厂
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：9
- 发布年份：1997
- 代替标准：GB 5256-1985,GB 1550-1979,GB 1550-1979,GB 5256-1985
- 部分代替标准：,
- 采用标准：ASTM F42:1988
- 适用范围：本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。 本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果,对于非均匀试样,可在其表面上测出不同导电类型区域。 本标准方法不适用于分层结构试样,如外延片的导电类型的测定。