硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
- 标准编号：GB/T 19444-2004
- 其他标准名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
- 标准类型：国家标准
- 关键词：性能试验 ; 性能 ; 硅
- 发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
- 发布日期：2004-02-05
- 实施日期：2004-07-01
- 摘要：本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
- 标准分类：方法
- CCS：H26
- ICS：29.040
- 英文关键词：EMPERFORMANCE ; SILICON ; PREMISES ; PERFORMANCES ; PERFORMANCE TESTING ; SILICONE ; PERFORMANCE TESTS ; PERFORMANCE
- 起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：6
- 发布年份：2004
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。