非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- 标准编号：GB/T 4326-2006
- 其他标准名称：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
- 标准类型：国家标准
- 关键词：测量 ; 半导体 ; 试样制备 ; 非本征半导体单晶 ; 霍尔迁移率 ; 霍尔系数 ; 测量仪器
- 发布单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)
- 发布日期：2006-07-18
- 实施日期：2006-11-01
- 标准分类：方法
- CCS：H17
- ICS：77.040.01
- 英文关键词：MEASUREMENT ; MEASURING ; MEASUREMENTS ; SEMICONDUCTORS ; SPECIMEN PREPARATION ; SAMPLE PREPARATION ; MEASURING INSTRUMENTS ; TESTING MEASUREMENT
- 起草单位：北京有色金属研究总院
- 起草人：王彤涵
- 归口单位：中国有色金属工业协会
- 主管单位：中国有色金属工业协会
- 执行单位：中国有色金属工业协会
- 标准状态：有效
- 页数：16
- 发布年份：2006
- 代替标准：GB/T 4326-1984,GB/T 4326-1984
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达10<上标4>Ω?CM半导体单晶材料的测试。