纳米硅/单晶硅异质结MOSFETS压/磁多功能传感器研究
- 责任者：赵晓锋著
- 主题词：压力传感器-研究
- 日期：2009
- ISBN：000006804676
- 出版社：05/diskQGR/QGR82/04/!00001.pdg
- 摘要：本书在温殿忠教授提出的JFET压／磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压／磁多功能传感器在外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场8≠O；外加压力P≠O、外加磁场B≠O四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅／单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压／磁多功能传感器。本书设计、制作的纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器能够完成压力和磁场的检测，具有良好的压敏特性和磁敏特性，可实现压／磁检测的集成化和一体化，对传感器的小型化、多功能化、集成化和一体化发展具有重要意义。
- 分类：0T0P2010
- 分类名称：978-7-81129-126-1
- kndid：246
- ccode：12408583
- isauto：3004
- BID：工业技术图书馆->自动化技术、计算机技术->自动化技术及设备->自动化元件、部件
中文摘要