Zinc vacancy-related complex and its abnormal photoluminescence in Zn⁺-implanted ZnO single crystals

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• 作者：Shuoxing Li ; Jing Li ; Weitian Wang ; Zhizhen Ye ; Haiping He ; ^{hphe@zju.edu.cn}
• 关键词：Semiconductors ; Defects ; Photoluminescence
• 刊名：Materials Letters
• 出版年：2017
• 出版时间：1 April 2017
• 年：2017
• 卷：192
• 期：Complete
• 页码：133-136
• 全文大小：1245 K
• 卷排序：192

文摘

Implanting Zn+ ions into ZnO single crystals produces VZn-Zni complex. The complex is “invisible” in photoluminescence under low-level excitation. The recombination at VZn-Zni takes place only when oxygen vacancies are saturated.