SmTbFeCo/Cr/TbFeCo垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究

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• 作者：王翔苏深伟
• 会议时间：2006-09-21
• 关键词：薄膜 ; 光磁混合记录 ; Cr中介层 ; 交换耦合 ; 垂直磁化 ; 磁控溅射
• 作者单位：北京航空航天大学电子科学与技术系,北京,100083
• 母体文献：传感技术学报
• 会议名称：第八届中国微米/纳米技术学术年会
• 会议地点：南京
• 主办单位：中国仪器仪表学会
• 语种：chi

摘要

本文采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-M/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16(A),耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmTbFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题.