掺杂阴离子对聚吡咯腐蚀行为的影响
- 作者：齐锴邱于兵陈振宇郭兴蓬
- 会议时间：2011-08-21
- 关键词：导电高分子材料 ; 聚吡咯 ; 腐蚀行为 ; 阴离子掺杂
- 作者单位：华中科技大学化学与化工学院,材料化学与服役失效湖北省重点实验室,湖北,武汉,430074
- 母体文献：第六届全国腐蚀大会论文集
- 会议名称：第六届全国腐蚀大会
- 会议地点：银川
- 主办单位：中国腐蚀与防护学会
- 语种：chi
摘要
材料在环境介质的作用下发生的破坏(结构或功能的丧失)现象称之为腐蚀,导电高分子材料在使用环境中的降解也是一种腐蚀过程。本文通过循环伏安法和交流阻抗法比较了掺杂不同尺寸阴离子的聚吡咯膜在碱性环境中腐蚀前后的电化学活性和电导性的变化,研究了掺杂离子对聚吡咯稳定性的影响。实验表明,掺杂阴离子的尺寸越大,聚吡咯抗腐蚀的性能越好,在碱性环境中浸泡后,仍能保持良好的电化学活性和电导性。IR 和XPS 分析数据结果证明:掺杂阴离子尺寸越大,其位阻效应越大,越不容易从聚吡咯膜内脱出,很难与OH-进行交换,亲核基团仅能进攻聚吡咯表层结构而无法侵入膜内部,故在碱性溶液中具有良好的环境稳定性。