脉冲闭合场非平衡磁控溅射(P-CFUBMS)与直流闭合场非平衡磁控溅射(dc-CFUBMS)对CrNx镀层沉积效果差异比较

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• 作者：曹政蒋百灵宁富平张潜
• 会议时间：2011-09-16
• 关键词：P-CFUBMS ; dc-CFUBMS ; CrNx镀层 ; 沉积效果 ; 复合电磁场环境 ; 微观结构
• 作者单位：西安理工大学材料科学与工程学院,陕西 西安 710048
• 母体文献：第十次全国热处理大会论文集
• 会议名称：第十次全国热处理大会
• 会议地点：天津
• 主办单位：中国机械工程学会
• 语种：chi

摘要

采用脉冲闭合场非平衡磁控溅射(P-CFUBMS)与直流闭合场非平衡磁控溅射(dc-CFUBMS)两种方法分别沉积CrNx镀层,研究了两种不同复合电磁场环境中制备的CrNx镀层厚度沿靶基距方向分布均匀性及微观结构的差异.结果表明: P-CFUBMS环境中,由于靶材原子离化率的显著提高使所制备的CrNx镀层厚度沿靶基距方向分布的均匀性明显优异于dc-CFUBMS,且获得的CrNx镀层更致密.在靶基距为60mm处,dc-CFUBMS制备的CrNx镀层沿CrN(111)晶面择优生长较为明显,而P-CFUBMS制备的CrNx镀层则有较明显的沿CrN(311)晶面择优生长趋势.P-CFUBMS条件下基片随靶基距增大的降温幅度比dc-CFUBMS平缓.