雷射加热基座法(LHPG)晶体生长之掺杂浓度探讨
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摘要
以人工方式生长高质量晶体宝石,是现今材料发展趋势之一。雷射加热基座法(LHPG)结合浮动熔区与基座之优点,广为一般实验室与产业所应用。文章以低浓度钕(Nd)与铬(Cr)离子掺杂于钇铝石榴石(YAG)为实验材料,探讨LHPG法晶体生长所造成的浓度变化。并配合二维数值模拟分析,来了解相关物理机制。其数值方法是应用有限体积法,其网格并经体适网格转换。由于Nd与Cr离子偏析系数之差异,使得径向浓度分布呈现完全相反的分布趋势。利用模拟所得验证了相关物理机制,此结果是值得以LHPG生长晶体时之参考。

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