灯丝间距对CVD金刚石厚膜生长的影响

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• 作者：赵志岩周明于郝超
• 会议时间：2015-11-01
• 关键词：金刚石厚膜 ; 热丝化学气相沉积法 ; 灯丝间距 ; 围挡 ; 生长速度
• 作者单位：廊坊西波尔钻石技术有限公司,河北廊坊,065300
• 母体文献：第十九届中国超硬材料技术发展论坛论文集
• 会议名称：第十九届中国超硬材料技术发展论坛
• 会议地点：郑州
• 主办单位：中国机床工具工业协会超硬材料分会
• 语种：chi
• 分类号：TN3

摘要

本文采用热丝化学气相沉积方法制备CVD金刚石厚膜,通过灯丝间距缩短为4mm,同时增加围挡,使得CVD金刚石厚膜的生长速度可达到7.5μm/h,热导率达到1028W/(m·K),CVD金刚石膜结构致密,无孔洞,甚至透红光。其主要原因是灯丝间距缩短和增加围挡,增加了灯丝阵列的活化能力,产生更多的含碳基团和原子氢,促进金刚石生长,加速sp2结构碳的刻蚀。