MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述
- 作者：陈建丽张嵩程红娟徐永宽
- 会议时间：2015-10-20
- 关键词：半导体 ; 单晶金刚石 ; 微波等离子体化学气相沉积法 ; 同质外延生长
- 作者单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
- 母体文献：中国金属学会炭素材料分会第二十九届学术交流会论文集
- 会议名称：中国金属学会炭素材料分会第二十九届学术交流会
- 会议地点：宁夏石嘴山
- 主办单位：中国金属学会炭素材料分会
- 语种：chi
- 分类号：TN3;TG7
摘要
单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想半导体材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中.面对金刚石在电学领域与探测领域的潜在应用价值,发展高品质金刚石单晶生长技术尤为重要,而金刚石应用的首要问题是解决单晶和成本的问题.微波等离子化学气相沉积是实现低成本、大尺寸单晶金刚石生长的有效技术.针对如何提高单晶金刚石的生长速率,如何获得高质量、大尺寸单晶金刚石的问题,本文阐述了国内外微波等离子化学气相沉积法同质外延生长单晶金刚石技术研究方面取得的重要突破,详细介绍了提高MPCVD单晶金刚石沉积速率;金刚石晶片剥离技术;金刚石晶体三维生长扩大尺寸;金刚石单晶"马赛克"生长技术.